W25Q128JWSIM TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C。Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 16MEG FLASH EEPROMMicrochip Technology · 封装:TFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。Adesto Technologies · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 UDFN-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-S-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 SQI,采用 TDFN-S-8 封装。ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Adesto Technologies · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 UDFN-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Adesto Technologies · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 TSSOP-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ON Semiconductor · 封装:VDFN-5x6-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 2.7 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 VDFN-5x6-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。