S25FL256SDPBHB213
Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 BGA-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 BGA-24 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。Micron · 封装:T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 T-PBGA-24 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。Cypress Semiconductor · 封装:LAA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Asynchronous、电源电流(最大值) 100 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 LAA-64 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperFlash。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 512MEG FLASH EEPROMCypress Semiconductor · 封装:FBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 M x 8, 4 M x 16,采用 FBGA-48 封装。Cypress Semiconductor
NOR Flash 256MEG FLASH EEPROMCypress Semiconductor · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。Winbond
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3 V、接口类型 SPI、商品名称 SpiStack。Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 128MEG FLASH EEPROMCypress Semiconductor · 封装:BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 BGA-24 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Adesto Technologies · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 UDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。