S29GL128P10FFI020A
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:TDFN-S-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是,采用 TDFN-S-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 16MEG FLASH EEPROMCypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor · 封装:BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 M x 8,采用 BGA-64 封装。ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:TFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 32MEG FLASH EEPROMON Semiconductor · 封装:VDFN-5x6-8
主要参数包括最大时钟频率 30 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 VDFN-5x6-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。