S29GL512S11GHIV20
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-56 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录A2C53380129
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL512S12DHIV20
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。S29GL512S10DHSS10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL04GS12SFCR00
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。S26KL128SDABHA030
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperFlash。363531-0010 00
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。W25Q32JVTCIM TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。W25Q32JVTBIQ TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。S99-50400
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。SST39LF020-55-4I-MME
Microchip Technology · 封装：WFBGA-34
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-34 封装。W25Q20EWSVIG TR
Winbond · 封装：VSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 VSOP-8 封装。S29VS256R0SBHW000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-44
主要参数包括最大时钟频率 83 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 FBGA-44 封装。S25FS064SAGBHB020
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。W25Q16FWZPIQ TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S29GL512S11DHB010
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29VS256RABBHW010
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-44
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 FBGA-44 封装。MT25QU128ABA8E14-0SIT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。S29GL512S12DHBV10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。