IS43DR16160B-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录AS4C64M16D2A-25BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS42SM16800H-75BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz，采用 BGA-54 封装。IS46R16320E-6TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS42VM16800H-75BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是，采用 BGA-54 封装。IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、湿敏性 是。IS46TR16640B-15GBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640BL-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16256BL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。AS4C16M16SA-6TANTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS43DR16160B-37CBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 266 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS45S16400J-7BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42VM32200M-75BLI-TR
ISSI · 封装：512 Mbit
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是，采用 512 Mbit 封装。IS43DR16320C-3DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS42RM32160E-75BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。MT40A2G8VA-062E:B TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 2 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53D4DBNW-DC
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT52L1DAPF-DC TR
Micron · 封装：FBGA-178
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3，采用 FBGA-178 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。