芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

46,309 条型号记录

每页 20 条

S25FS064SDSMFA013

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。

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S29NS512P0SBJW000

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是。

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S25FL128SDPMFV003

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。

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W25Q32JWXGIM TR

Winbond · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 USON-8 封装。

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S25FL128SDSMFA003

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。

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2504783

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是。

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S25FL128SAGMFVR03

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。

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S29AS016J70BFI033

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是。

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S29AS016J70BFI043

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是。

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W25Q16JVXGIQ TR

Winbond · 封装：XSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 XSON-8 封装。

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SST25WF080BT-40I/NP

Microchip Technology · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。

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S26KS128SDABHV030

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、商品名称 HyperFlash。

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W25Q64JVTBIQ TR

Winbond · 封装：TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。

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S25FS512SAGMFB010

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。

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S29WS256P0LBFW000A

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是。

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S26KS128SDABHI030

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是、商品名称 HyperFlash。

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S25FL512SAGMFAR10

Cypress Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、商品名称 MirrorBit。

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S29WS256P0PBFW000A

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性是。

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W25X20CLZPIG TR

Winbond · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 WSON-8 封装。

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S29GL512S11DHSS20

Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。