8 905 959 111T
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录28064462 A
Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 16MEG FLASH EEPROMS29GL512S10FHSS30
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL064S80BHB040
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 M x 8，采用 BGA-48 封装。S25FL256SAGBHIT00
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FS256SAGMFM000
Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。S29GL01GS10TFA020
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。S29GL01GS10TFA010
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。W25Q32JWSSIM TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL128SDPBHB300
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FS128SDSBHB200
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S29GL512T11TFB020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR、存储组织结构 64 M x 8，采用 TSOP-56 封装。N262P57616
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。S29GL064S80DHV040
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。IS25WP256D-RHLE-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。W25Q64JVSFIM TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。IS29GL128-70SLET-TR
ISSI · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16，采用 TSOP-56 封装。IS25LP512M-RMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。IS25WP256D-JMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S70FS01GSDSBHV213
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。