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存储器

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SST25VF020A-25-4E-ZAE

Microchip Technology · 封装:CSP-8

主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 CSP-8 封装。

S25FS128SAGNFM100

Cypress Semiconductor · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

W25Q16JVZPIM TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

S29XS256RABBHW000

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL256N11FFA010

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。

S29GL512T11DHB020

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。

S29GL512S11DHV020

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

S29GL512T10GHI020

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL512S11GHI020

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

W25Q80DVSVIG TR

Winbond · 封装:VSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 VSOP-8 封装。

S29GL01GS11FHSS60

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

S25FS128SAGBHM200

Cypress Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。

S29GL01GT11FHV020

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

S25FL256SAGBHAA00

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 BGA-24 封装。

S29VS128RABBHW010

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-44

主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous,采用 FBGA-44 封装。

S99-50459

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S25FL256SDPNFV000

Cypress Semiconductor · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

W25Q32JVSNIQ TR

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

S29GL512S10FAI020

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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