MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E1536M32D4DT-046 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。MT53E384M32D2DS-053 AIT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53D256M64D4KA-046 XT:B
Micron
DRAM LPDDR4 16G 256MX64 FBGA QDPMT40A512M16LY-062E AIT:E TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT61K256M32JE-14:A TR
Micron
DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGAMT40A2G4SA-062E:J
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A1G8SA-062E:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。W972GG6KB-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 WBGA-84 封装。MT53B256M64D2NL-062 XT:C
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。IS43TR16128CL-15HBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。RM3313-XSNI-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。IS42S16100H-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。IS43TR82560CL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。MT40A1G8SA-062E AIT:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。IS42S16100H-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。IS43DR81280B-25DBL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。MT53E2G32D4DT-046 AAT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。MT53B768M64D8NK-053 WT:D
Micron
DRAM LPDDR4 48G 768MX64 FBGA 8DP型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。