S29GL064S70TFI023
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 M x 8，采用 TSOP-56 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25Q20EWUXIE TR
Winbond · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 USON-8 封装。S79FL256SDSMFBG00
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S29GL512S10FHSS40
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。W25Q16FWBYIG TR
Winbond · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WLCSP-8 封装。AT25SF161-SSHDHR-T
Adesto Technologies
NOR Flash SPI FLASH H-TMP 2.5V 16MbDual-I/O,Quad-IOS29GL01GS10FAI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL064N90FFI042
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。IS25LP128F-JBLA3-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q16JVUXIM TR
Winbond · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 USON-8 封装。IS25LP064D-JBLE-TR
ISSI · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。IS25WP128F-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial, SPI, QPI、存储器类型 Flash，采用 WSON-8 封装。IS25WQ020-JBLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 SOIC-Wide-8 封装。IS25LP128F-RMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。IS25WQ040-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
Micron · 封装：XFWLBGA-27
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 XFWLBGA-27 封装。S70FL01GSDPBHVC13
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SAGBHID13
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 T-PBGA-24 封装。S29GL256S11DHIV23
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。