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存储器

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S29GL128S10FHIV13

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S70FL01GSDSBHBC10

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

MT25QU128ABB1ESE-0AUT

Micron · 封装:SOP2-8

主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous、存储组织结构 16 M x 8,采用 SOP2-8 封装。

W25Q128JVFIM TR

Winbond · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-16 封装。

W25Q64JVZPIM TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

AT25SF161-SHDHR-T

Adesto Technologies

NOR Flash SPI FLASH H-TMP 2.5V 16MbDual-I/O,Quad-IO

S29GL064S80BHV040

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 BGA-48 封装。

S29GL01GS11TFA010

Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-56

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TSOP-56 封装。

W25Q16JLSNIG TR

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

S29GL512T11TFB010

Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-56

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TSOP-56 封装。

S29GL128S10DHSS10

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

SST38VF6403B-70I/TV

Microchip Technology · 封装:TSOP-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TSOP-48 封装。

IS25WP256D-JLLE-TR

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

IS25WP128-JBLE-TR

ISSI · 封装:SOIC-Wide-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-Wide-8 封装。

S29GL064S80DHV020

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-64

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 BGA-64 封装。

S29GL064S80DHV030

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-64

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 BGA-64 封装。

IS25LP032D-JLLE-TR

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括湿敏性 是,采用 WSON-8 封装。

MT35XU02GCBA1G12-0SIT TR

Micron · 封装:T-PBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR,采用 T-PBGA-24 封装。

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