S29XS256RABBHW003
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S25FL512SDSBHI213
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。S29GL512S11TFB010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-16 封装。S29GL512T10DHI023
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。SST39VF802C-70-4C-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF200A-70-4C-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。MT35XL02GCBA1G12-0SIT
Micron
主要参数包括商品名称 Xccela。S25FL512SAGBHVA13
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。S29GL512T11DHV013
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR、存储组织结构 64 M x 8，采用 BGA-64 封装。LE25S81MCTWG
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。SST39LF801C-55-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。LE25S40AMCTWG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。MT35XU02GCBA2G12-0AAT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 T-PBGA-24 封装。S70FL01GSAGBHIC13
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。SST39VF401C-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-24 封装。SST39VF3202-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。IS25LP512M-JLLE-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。