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型号列表

46,309 条型号记录
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IS43R16320D-6BL-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 BGA-60 封装。

IS43TR16256A-107MBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

AS4C64M16D2A-25BINTR

Alliance Memory · 封装:FBGA-84

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-84 封装。

IS43TR16640BL-125KBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16640B-15GBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

ISSI · 封装:FBGA-24

主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM,采用 FBGA-24 封装。

IS42S16160G-6BL-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 BGA-54 封装。

AS4C16M16D1-5BINTR

Alliance Memory · 封装:TFBGA-60

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位,采用 TFBGA-60 封装。

IS43TR16128BL-15HBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L,采用 BGA-96 封装。

IS43DR16320E-25DBL-TR

ISSI · 封装:BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-84 封装。

IS45S16800F-7TLA1-TR

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-54 封装。

IS43TR16640B-15GBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。

IS42S83200G-7BLI

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 BGA-54 封装。

AS4C16M32MD1-5BINTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、存储组织结构 16 M x 16、湿敏性 是。

AS4C4M32MSA-6BINTR

Alliance Memory · 封装:FBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 32 位,采用 FBGA-90 封装。

IS46TR16128BL-15HBLA2

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是,采用 BGA-78 封装。

IS46TR16256B-107MBLA1

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS46TR16128C-125KBLA2

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。

W971GG6SB25I TR

Winbond · 封装:WBGA-84

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 64 M x 16,采用 WBGA-84 封装。

IS45S16320F-7CTLA2

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是,采用 TSOP-54 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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