IS45S16100H-7TLA1
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S16100H-6BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。IS42S16100H-7BL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。IS42S16100H-6BL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。GS4576C09GM-18I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9，采用 FBGA 封装。GS4576C18GM-25I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。IS43LD16320A-25BLI
ISSI · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。GS4288C36GL-25
GSI Technology · 封装：BGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、类型 LLDRAM、存储组织结构 8 M x 36，采用 BGA 封装。IS43TR16128CL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。AS4C64M16D1A-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOPII-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOPII-66 封装。IS43DR16640C-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是、单件重量 0.006984 oz，采用 BGA-84 封装。IS43DR82560C-25DBL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。IS42SM32400H-75BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是，采用 BGA-90 封装。AS4C32M8SA-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。IS43DR86400E-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。IS43DR16128C-3DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。AS4C32M16SB-7TINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。IS42VM16800H-75BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是、单件重量 0.004303 oz，采用 BGA-54 封装。IS43DR16320E-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。AS4C8M32SA-7BCN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。