MT41K512M16HA-107 IT
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT41K512M16HA-125 :A
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS43LR16320C-5BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。MT41K1G8RKB-107:P TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A512M16TB-062E:J TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A2G4SA-062E:J TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A1G8SA-062E:J TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT53E128M16D1DS-053 AAT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、湿敏性 是。MT40A256M16GE-083E:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS41C16100C-50TLI
ISSI · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。IS46TR16256B-125KBLA1
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR85120BL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 4 GB、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS43TR82560DL-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS46TR16128DL-107MBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS46TR16128D-125KBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS43TR85120B-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-78 封装。AS4C256M8D2A-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2、存储组织结构 256 M x 8、最小工作温度 0 C，采用 FBGA-60 封装。IS43TR82560D-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS43TR85120B-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-78 封装。MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。