CY22801KFXCT
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.47 V、电源电压（最小值） 3.14 V、工作电源电压 3.3 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 133 MHz、类型 Programmable Clock Generator，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录CY22801KFXI
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.47 V、电源电压（最小值） 3.14 V、工作电源电压 3.3 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 30 MHz、类型 Programmable Clock Generator，采用 SOIC-8 封装。MASC-37048A
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。MATA-37044C-DIE
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。DS3105LN2
Microchip Technology · 封装：LQFP-64
主要参数包括型号别名 DS315LN2，采用 LQFP-64 封装。DS3100GN2
Microchip Technology · 封装：CSBGA-256
主要参数包括型号别名 DS31GN2，采用 CSBGA-256 封装。DS3102GN2
Microchip Technology · 封装：CSBGA-81
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 +85C、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.093417 oz，采用 CSBGA-81 封装。DS3104GN2
Microchip Technology · 封装：CSBGA-81
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、最大输出频率 312.5 MHz、最大输入频率 156.25 MHz、类型 Clock Generator、输出数 7 Output、占空比（最大值） 50 %，采用 CSBGA-81 封装。DSA557-0344FL1TVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.63 V、类型 Clock Generator、输出类型 HCSL、输出数 2 Output，采用 VQFN-14 封装。DSA557-0333FL1TVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.63 V、类型 Clock Generator、输出类型 LVDS、输出数 2 Output，采用 VQFN-14 封装。DSA557-0344FI1TVAO
Microchip Technology · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.63 V、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generator、输出类型 HCSL，采用 QFN-14 封装。DSA557-0344FI1VAO
Microchip Technology · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.63 V、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generator、输出类型 HCSL，采用 QFN-14 封装。DSA557-0344FL1VAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.63 V、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generator、输出类型 HCSL，采用 VQFN-14 封装。DSC557-0333FI1
Microchip Technology · 封装：VQFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.6 V、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generator、输出类型 HCSL, LVDS, LVCMOS，采用 VQFN-14 封装。DSC557-0333FI1T
Microchip Technology · 封装：VQFN-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.25 V、工作电源电压 2.25～3.6 V、类型 Clock Generator、输出类型 HCSL, LVDS, LVCMOS、输出数 2 Output，采用 VQFN-14 封装。MC100EL38DWR2G
onsemi · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.7 V、电源电压（最小值） 4.2 V、工作电源电压 4.2～5.7 V、最大输出频率 1.2 GHz、类型 Clock Generator、输出数 4 Output，采用 SOIC-20 封装。MC100EP139DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～5.5 V、最大输出频率 1 GHz、类型 Clock Generator、输出数 4 Output，采用 TSSOP-20 封装。MC100EP139DWG
onsemi · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～5.5 V、最大输出频率 1 GHz、类型 Clock Generator、输出数 4 Output，采用 SOIC-20 封装。RC38312A100GBB#BC0
Renesas Electronics · 封装：BGA-100
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V, 2.625 V, 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V, 2.375 V, 3.135 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大输出频率 2.5 GHz、最大输入频率 1 GHz、类型 Radio Synchronizer and Multi-Frequency Clock Synthesizer，采用 BGA-100 封装。RC38312A200GBB#BC0
Renesas Electronics · 封装：BGA-100
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、工作电源电压 3.465～3.71 V、最大输出频率 2.5 GHz、最大输入频率 1 GHz、类型 Radio Synchronizer and Multi-Frequency Clock Synthesizer，采用 BGA-100 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。