SN75454BP
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括工作电源电压 6.5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、输入信号类型 TTL、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、耗散功率（Pd） 1000 mW，采用 PDIP-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN75453BP
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括工作温度范围 0 C to + 70 C、输入信号类型 TTL、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、耗散功率（Pd） 1000 mW、传播延迟时间 25 ns，采用 PDIP-8 封装。SN74ABT244ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 64 mA，采用 SOIC-20 封装。SN75451BP
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、输入信号类型 TTL、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、耗散功率（Pd） 1000 mW，采用 PDIP-8 封装。ST26C32ABDR
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 7 V、接口类型 EIA-422. EIA-423. RS-422. RS-423、数据速率 20 Mb/s、最小工作温度 - 40 C，采用 SO-16 封装。SN74LS07D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括通道数 5、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 0.25 mA、低电平输出电流 40 mA，采用 SOIC-14 封装。SN74LS126AN
Texas Instruments · 封装：PDIP-14
主要参数包括通道数 4、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、高电平输出电流 - 2.6 mA、低电平输出电流 24 mA，采用 PDIP-14 封装。SN74LVC2G125DCUT
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
主要参数包括通道数 2、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、工作电源电压 1.8 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 32 mA，采用 VSSOP-8 封装。SN74LS240N
Texas Instruments · 封装：PDIP-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 15 mA、低电平输出电流 24 mA，采用 PDIP-20 封装。CD74HCT541E
Texas Instruments · 封装：PDIP-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、高电平输出电流 - 6 mA、低电平输出电流 6 mA，采用 PDIP-20 封装。CD74HCT244E
Texas Instruments · 封装：PDIP-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、高电平输出电流 - 6 mA、低电平输出电流 6 mA，采用 PDIP-20 封装。CD74HC244E
Texas Instruments · 封装：PDIP-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA，采用 PDIP-20 封装。MM74HC541WM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA，采用 SOIC-20 封装。SN75452BD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作电源电压 7 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、输入信号类型 TTL、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、耗散功率（Pd） 725 mW，采用 SOIC-8 封装。SN75452BDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作温度范围 0 C to + 70 C、输入信号类型 TTL、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、耗散功率（Pd） 725 mW、传播延迟时间 35 ns，采用 SOIC-8 封装。SN74ABT125PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
主要参数包括通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 64 mA，采用 TSSOP-14 封装。SN74ABT125DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括通道数 4、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 64 mA，采用 SOIC-14 封装。74ACT244SC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、高电平输出电流 - 24 mA、低电平输出电流 24 mA，采用 SOIC-20 封装。SN75453BD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作温度范围 0 C to + 70 C、输入信号类型 TTL、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、耗散功率（Pd） 725 mW、传播延迟时间 25 ns，采用 SOIC-8 封装。74AC244SC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 8、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 24 mA、低电平输出电流 24 mA，采用 SOIC-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。