5P49V6901A508NLGI
IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 VFQFPN-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 VFQFPN-24 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 QFN-24 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 QFN-24 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 2.5 V, 1.8 V、电源电压(最小值) - 0.5 V、最大输入频率 100 MHz、最大输出频率 800 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 VQFN-48 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 112.5 MHz、最大输出频率 900 MHz、类型 Clock Generators、输出类型 LVPECL、输出数 2 Output,采用 LFCSP-32 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 2.5 V, 1.8 V、电源电压(最小值) - 0.5 V、最大输入频率 100 MHz、最大输出频率 800 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 VQFN-48 封装。Cypress Semiconductor · 封装:TSSOP-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 166 MHz、最大输出频率 200 MHz、类型 Programmable Clock Generators、输出类型 CMOS、输出数 6 Output,采用 TSSOP-16 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 710 MHz、最大输出频率 710 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 QFN-24 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-72
主要参数包括工作电源电压 3.135~3.465 V、最大输入频率 1250 MHz、最大输出频率 4025 MHz、类型 Clock Generators、输出类型 LVDS/HSTL、输出数 14 Output,采用 LFCSP-72 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 28.47 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 3 Output,采用 VQFN-32 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:MS8E-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大输入频率 500 MHz、类型 Clock Generators、输出类型 CMOS、输出数 1 Output、占空比(最大值) 60 %,采用 MS8E-8 封装。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括工作电源电压 3 V、最大输入频率 27 MHz、类型 Programmable Clock Generators、占空比(最大值) 60 %、工作电源电流 119 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 VFQFPN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括工作电源电压 1.7~1.9 V、最大输入频率 27 MHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generators、输出数 2 Output、工作电源电流 25 mA,采用 VFQFPN-24 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.38 V、输出类型 LVDS、工作电源电流 140 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-16 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括工作电源电压 3~5.25 V、最大输入频率 50 MHz、最大输出频率 160 MHz、类型 Clock Multipliers、输出数 1 Output、工作电源电流 20 mA,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:MSOP-10
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大输入频率 27 MHz、最大输出频率 200 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 MSOP-10 封装。Silicon Labs · 封装:MSOP-10
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大输入频率 27 MHz、最大输出频率 200 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 MSOP-10 封装。Silicon Labs · 封装:MSOP-10
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大输入频率 27 MHz、最大输出频率 200 MHz、类型 Programmable Clock Generators,采用 MSOP-10 封装。Microchip / Microsemi · 封装:CABGA-100
主要参数包括最大输入频率 622.08 MHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Synchronizers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是,采用 CABGA-100 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 512 ICS512MILFT、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。