SY89873LMG
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 CML, HSTL, LVDS, LVPECL、类型 Clock Divider and Fanout Buffer，采用 QFN-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SY89873LMG-TR
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是、产品 Clock Dividers、型号别名 SY89873LMG TR，采用 QFN-16 封装。SY89875UMG-TR
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、产品 Clock Dividers、型号别名 SY89875UMG TR，采用 VQFN-16 封装。SY89876LMG
Microchip Technology · 封装：MLF-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 155.5 MHz、输出类型 LVDS、输入类型 HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL、类型 Clock Divider / Fanout Buffer，采用 MLF-16 封装。SY89876LMG-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-16
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是、产品 Clock Dividers、型号别名 SY89876LMG TR，采用 MLF-16 封装。MC100EP809MNG
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 750 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVPECL、类型 ECL, HSTL, LVDS, PECL，采用 QFN-32 封装。MC100LVEL14DWR2G
onsemi · 封装：SOIC-Wide-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出类型 ECL、类型 ECL, PECL、倍频／分频系数 21、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-Wide-20 封装。MC100LVEL32DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输出频率 2.8 GHz、输出类型 ECL、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 ECL，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEL32DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEL33DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEP111FAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输出频率 3 GHz、输出类型 ECL, PECL、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 ECL, HSTL, PECL，采用 LQFP-32 封装。MC100LVEP111FARG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出类型 ECL, PECL、类型 ECL, HSTL, PECL、倍频／分频系数 21、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。MC100LVEP111MNG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输出频率 3 GHz、输出类型 ECL, PECL、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 ECL, HSTL, PECL，采用 LQFP-32 封装。MC100LVEP111MNRG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出类型 ECL, PECL、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 LQFP-32 封装。MC100LVEP14DTG
onsemi · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输出频率 2 GHz、输出类型 ECL, PECL、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 ECL, HSTL, LVDS, PECL，采用 TSSOP-20 封装。MC100LVEP14DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出类型 ECL, PECL、类型 ECL, HSTL, LVDS, PECL、倍频／分频系数 21、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。MC10EL32DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括晶圆制造国家或地区 CZ、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MC10EP33DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。NB100LVEP221MNRG
onsemi · 封装：QFN-52
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出类型 ECL, PECL、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 QFN-52 封装。NB100LVEP222MNG
onsemi · 封装：QFN-52
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输出频率 1 GHz、输出类型 LVECL, LVPECL、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 Differential Divider Multiplexer，采用 QFN-52 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。