83058AGILF
IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1 mm、长度 5 mm,采用 TSSOP-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1 mm、长度 5 mm,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 200 MHz、输入类型 Clock、类型 Phase-Lock Loop Clock Driver、倍频/分频系数 1:8,采用 SOP-16 封装。IDT
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 3 GHz、输出类型 ECL, LVPECL、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、类型 Differential Clock, Data Multiplexer,采用 TSSOP-20 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:QFN-16
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002014 oz,采用 QFN-16 封装。IDT · 封装:SSOP-20
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 7.2 mm、宽度 5.3 mm、型号别名 74FCT3807 IDT74FCT3807PYGI、单件重量 0.016000 oz,采用 SSOP-20 封装。IDT · 封装:SSOP-20
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 7.2 mm、宽度 5.3 mm、型号别名 49FCT3805B IDT49FCT3805BPYG8、单件重量 0.016000 oz,采用 SSOP-20 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-16 EP
主要参数包括电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输出频率 11 GHz、输出类型 CML、输入类型 LVCMOS, LVPECL、类型 Clock Dividers,采用 QFN-16 EP 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 3 GHz、输出类型 ECL, PECL、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 ECL, HSTL, PECL,采用 QFN-32 封装。IDT · 封装:SSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 166 MHz、输出类型 CMOS, TTL、类型 Clock Drivers、倍频/分频系数 1:10,采用 SSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 175 MHz、输入类型 Clock、类型 PLL Clock Driver、倍频/分频系数 1:5, 1:4,采用 TSSOP-24 封装。IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVPECL, LVCMOS、类型 Clock Drivers,采用 TSSOP-16 封装。IDT · 封装:VFQFPN-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、湿敏性 是、型号别名 8SLVD1204I,采用 VFQFPN-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-20
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、最大输入频率 60 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 Clock Drivers、倍频/分频系数 1:4,采用 SOIC-20 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输出频率 400 MHz、输出类型 Differential、输入类型 Differential、类型 Phase-Lock Loop Clock Driver,采用 VQFN-40 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 0.1 MHz、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 2.59 mm,采用 SSOP-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、湿敏性 是、型号别名 8S89833I,采用 VFQFPN-16 封装。IDT · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.5 mm、长度 9.9 mm,采用 SOIC-16 封装。ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.7 V、电源电压(最小值) 4.2 V、最大输出频率 4.2 GHz、输出类型 ECL、输入类型 Clock、类型 ECL,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 4.6 V、电源电压(最小值) 3.3 V、最大输出频率 200 MHz、输出类型 LVDS, HCSL、输入类型 HCSL、类型 Differential Clock, Data Multiplexer,采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。