SI53308-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、输出类型 Differential、输入类型 Differential、类型 Low-Jitter Buffer / Level Translator、倍频／分频系数 1:3，采用 QFN-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SY100EL15LZG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） - 3.63 V、电源电压（最小值） - 2.97 V、类型 ECL、倍频／分频系数 1:4、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-16 封装。83905AGLFT
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.6 V、最大输出频率 100 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 Crystal、类型 Clock Fanout Buffer，采用 TSSOP-16 封装。74FCT3807AQG8
IDT · 封装：QSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输出频率 166 MHz、输出类型 CMOS, TTL、输入类型 TTL、类型 Clock Drivers，采用 QSOP-20 封装。SN74LVC1404DCTR
Texas Instruments · 封装：SM-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大输出频率 28 MHz、输出类型 LVTTL、输入类型 CMOS, TTL、类型 Oscillator Driver，采用 SM-8 封装。P9090-0NLGI8
IDT
Clock Drivers & Distribution SINGLE PHASE DRIVER49FCT3805DQGI8
IDT · 封装：QSOP-20
主要参数包括高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 49FCT3805D-E IDT49FCT3805DQGI8、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。LV5609LP-E
ON Semiconductor · 封装：SMD/SMT
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2 V、类型 Clock Drivers、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 80 C、耗散功率（Pd） 0.8 W，采用 SMD/SMT 封装。CDCVF2505DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Driver、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.58 mm，采用 SOIC-8 封装。74FCT3807QGI8
IDT · 封装：QSOP-20
主要参数包括高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74FCT3807 IDT74FCT3807QGI8、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。SY100EL14VZG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、输出类型 Differential、输入类型 LVECL, LVPECL、类型 ECL、倍频／分频系数 1:5，采用 SOIC-20 封装。SI53306-B-GMR
Silicon Labs · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输出频率 725 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 Universal Buffer / Level Translator，采用 QFN-16 封装。8305AGLFT
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 8305 ICS8305AGLFT、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。SY89825UHY
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-64
主要参数包括倍频／分频系数 2:22、湿敏性 是、单件重量 0.012720 oz，采用 TQFP-64 封装。854S015CKI-01LF
IDT
主要参数包括型号别名 ICS854S015CKI-01LF。NB7L111MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-52
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大数据速率 6.125 Gbps、最大输出频率 5.5 GHz、输出类型 CML、输入类型 HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL，采用 QFN-52 封装。NB7L32MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16, 3 x 3
采用 QFN-16, 3 x 3 封装。HMC987LP5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输出频率 8 GHz、输出类型 Differential, LVPECL、输入类型 Differential、类型 Fanout Buffer，采用 QFN-32 封装。LMK01000ISQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输出频率 1.6 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 Clock、类型 Clock Buffer, Divider, and Distributor，采用 WQFN-48 封装。8530DYLF
IDT · 封装：TQFP-48
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 8530 ICS8530DYLF、单件重量 0.319998 oz，采用 TQFP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。