PI6CB33602ZLAIEX
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL，采用 TQFN-40 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录PI6CB33602ZLAIEX-13R
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 133.33 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL，采用 TQFN-40 封装。PI6CB33801ZLIEX
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL，采用 TQFN-48 封装。PI6CB33801ZLIEX-13R
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL，采用 TQFN-48 封装。NB6N11SMNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 470 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6N11SMNR2G
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 470 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6N14SMNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6N14SMNR2G
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6L611MNR2G
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 4 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 375 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。MC10LVEP11DTG
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 310 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。551SDCGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。2305-1HDCGI8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。551SCMGI
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 Clock、输入类型 Clock，采用 DFN-8 封装。551SCMGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。551SDCGI
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 Clock、输入类型 Clock，采用 SOIC-8 封装。5PB1104PGGI8/N
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。5PB1206NDGK8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 TH。5PB1213NTGK8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 3 Output、传播延迟（最大值） 2.7 ns、最小工作温度 - 40 C。9DB403DGLF
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 400 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-28 封装。CDCM6208V1RGZRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。