9ZXL1951ANHG
Renesas Electronics · 封装：GQFN-80
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 GQFN-80 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录9ZXL1950DKILFT
Renesas Electronics · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 150 MHz、最大输入频率 150 MHz、输出类型 LP-HCSL、输入类型 HCSL，采用 VFQFPN-72 封装。9ZXL1950DKILF
Renesas Electronics · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 150 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 LP-HCSL、输入类型 HCSL，采用 VFQFPN-72 封装。9ZXL1950BKLFT
Renesas Electronics · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 VFQFPN-72 封装。9ZXL1950BKLF
Renesas Electronics · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 19 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-72 封装。9ZXL1951ANHG8
Renesas Electronics · 封装：GQFN-80
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 GQFN-80 封装。9ZXL1952DNHGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。9ZXL1952DNHGI
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。9ZXL1951DNHGI8
Renesas Electronics · 封装：GQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、输出类型 LP-HCSL、输入类型 HCSL、类型 Processor Clock、输出数 19 Output，采用 GQFN-80 封装。9ZXL1951DNHGI
Renesas Electronics · 封装：GQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 400 MHz、输出类型 LP-HCSL、输入类型 HCSL、类型 Processor Clock，采用 GQFN-80 封装。9ZXL1951ANHGI
Renesas Electronics · 封装：GQFN-80
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 GQFN-80 封装。MC100EL11DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.2 V、电源电压（最大值） 5.7 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 340 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。PI6CB332004AZLFEX
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807BQEX-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI6C49S1510AAZDIEX-36
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 1.5 GHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVTTL, LVCMOS，采用 TQFN-48 封装。PI6CB332002ZNAEX
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CMOS，采用 TQFN-20 封装。PI6CB332002ZNAEX-13R
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL, LVCMOS，采用 TQFN-20 封装。PI6CB332004A100ZLFEX
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI6CB332004A100ZLFEX-13R
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI6CB33601ZLAIEX-13R
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL，采用 TQFN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。