芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

45,197 条型号记录

每页 20 条

9DB102BGLFT

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 101 MHz、最大输入频率 101 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Clock，采用 TSSOP-20 封装。

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9DB106BGILF

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-28

主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-28 封装。

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9DB403DFLFT

Renesas Electronics · 封装：SSOP-28

主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Clock，采用 SSOP-28 封装。

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9DB403DGILF

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-28

主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL, LVDS、输入类型 HCSL、输出数 4 Output，采用 TSSOP-28 封装。

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2309A-1DCG8

Renesas Electronics · 封装：SOIC-16

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、湿敏性是、产品 Clock Buffers、型号别名 IDT2309A-1DCG8 2309A、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。

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23S05-1DCGI

Renesas Electronics · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。

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23S05-1DCGI8

Renesas Electronics · 封装：SOIC-8

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、型号别名 IDT23S05-1DCGI8 23S05、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。

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23S05-1HDCG

Renesas Electronics · 封装：SOIC-8

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、型号别名 IDT23S05-1HDCG 23S05、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。

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23S05-1HDCG8

Renesas Electronics · 封装：SOIC-8

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、型号别名 IDT23S05-1HDCG8 23S05、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。

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23S05-1HDCGI

Renesas Electronics · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、最大输入频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。

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23S09-1HPGGI

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-16

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、型号别名 IDT23S09-1HPGGI 23S09、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。

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5PB1102PGGK

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 TSSOP-8 封装。

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5P83908NDGK8

Renesas Electronics · 封装：QFN-20

主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 Crystal、类型 High Performance，采用 QFN-20 封装。

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5P83908PGGK

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 Crystal、类型 High Performance，采用 TSSOP-20 封装。

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5PB1102PGGI

Renesas Electronics · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。

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5PB1102PGGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C。

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830S21AMILFT

Renesas Electronics · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 2 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。

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8SLVD2104NBGI

Renesas Electronics · 封装：VFQFN-28

主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-28 封装。

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8S58035AKILFT

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 AT、湿敏性是、型号别名 ICS8S58035AKILFT 8S58035I、单件重量 0.005168 oz。

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8S89831AKILF

Renesas Electronics · 封装：VFQFN-16

主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 570 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 VFQFN-16 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。