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2305NZT-1DCG8

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT2305NZT-1DCG8 2305NZT-1、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

2309-1DCG

Renesas Electronics · 封装:SOIC-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、最大输入频率 133 MHz、输出数 9 Output、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-16 封装。

2309-1DCG8

Renesas Electronics · 封装:SOIC-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 9 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOIC-16 封装。

2309-1DCGI

Renesas Electronics · 封装:SOIC-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 9 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-16 封装。

2309-1DCGI8

Renesas Electronics · 封装:SOIC-16

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、产品 Clock Buffers、型号别名 IDT2309-1DCGI8 2309、单件重量 0.023492 oz,采用 SOIC-16 封装。

2309-1HPGG8

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、最大输入频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 TSSOP-16 封装。

2309-1HPGGI

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 9 Output,采用 TSSOP-16 封装。

2309-1HPGGI8

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 9 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-16 封装。

854S712AKILFT

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-16

主要参数包括原产国家或地区 AT、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers、型号别名 854S712I、单件重量 0.012743 oz,采用 VFQFN-16 封装。

853S111BKILF

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-32

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.8 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 610 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 VFQFN-32 封装。

853S111BKILFT

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-32

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.8 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 610 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 VFQFN-32 封装。

854S006AGILF

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-24

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 850 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。

854S006AGILFT

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 AT、型号别名 ICS854S006AGILFT 854S006I、单件重量 0.007478 oz。

830S21AMILF

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 350 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出数 1 Output,采用 SOIC-8 封装。

83026BMI-01LFT

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 3.1 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。

830S21AMI-01LF

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、输出数 1 Output、传播延迟(最大值) 2 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。

9DB403DGILFT

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-28

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL, LVDS、输入类型 HCSL、输出数 4 Output,采用 TSSOP-28 封装。

9DB102BGILF

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 100 MHz、最大输入频率 101 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Clock,采用 TSSOP-20 封装。

9DB102BGILFT

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 101 MHz、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 150 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-20 封装。

9DB102BGLF

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 101 MHz、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 150 ps、最小工作温度 0 C,采用 TSSOP-20 封装。

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