SY89833ALMG-TR
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 470 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SY89831UMG
Microchip Technology · 封装：MLF-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 450 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 MLF-16 封装。SY89831UMG-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 450 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 MLF-16 封装。SY89833ALMG
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 470 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。SYA75604BTWLVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 LVCMOS、输出数 4 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFN-16 封装。SYA75608TWL-TRVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CML, LVDS, HCSL，采用 VQFN-48 封装。SYA75608TWLVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CML, LVDS, HCSL，采用 VQFN-48 封装。SYA75612TWL-TRVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-56
主要参数包括电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CML, LVDS, HCSL，采用 VQFN-56 封装。SYA75612TWLVAO
Microchip Technology · 封装：VQFN-56
主要参数包括电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CML, LVDS, HCSL，采用 VQFN-56 封装。ZL40205LDF1
Microchip Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括产品 Fanout Buffers，采用 QFN-32 封装。ZL40200LDF1
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括产品 Fanout Buffers，采用 QFN-16 封装。ZL40200LDG1
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 750 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。ZL40201LDF1
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括产品 Fanout Buffers，采用 QFN-16 封装。ZL40201LDG1
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括湿敏性 是、产品 Fanout Buffers、单件重量 0.001411 oz，采用 QFN-16 封装。ZL40202LDF1
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括产品 Fanout Buffers，采用 QFN-16 封装。NB3U1548CDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.4 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 160 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 Fanout Buffer，采用 TSSOP-8 封装。NB6L14MMNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 480 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB3V1102CDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 250 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。NB3V1102CMTTBG
onsemi · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 250 kHz、最大输入频率 250 kHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL，采用 WDFN-8 封装。NB3V1103CDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、产品 Fanout Buffers，采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。