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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

8P791208NLGI/W

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-32

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 700 MHz、最大输入频率 700 MHz、输出类型 LVCMOS/HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL、类型 Low Additive Jitter,采用 VFQFN-32 封装。

8P791208NLGI8

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-32

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 700 MHz、最大输入频率 700 MHz、输出类型 LVCMOS/HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL、类型 Low Additive Jitter,采用 VFQFN-32 封装。

8P79818NLGI

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-32

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 700 MHz、最大输入频率 700 MHz、输出类型 CML, LVDS, LVPECL, HCSL、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL, HCSL,采用 VFQFN-32 封装。

8P79818NLGI8

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-32

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 700 MHz、最大输入频率 700 MHz、输出类型 CML, LVDS, LVPECL, HCSL、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL, HCSL,采用 VFQFN-32 封装。

8S58035AKILF

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 580 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。

8S89833AKILF

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 600 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。

8S89833AKILFT

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 600 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。

8SLVD1204-33NLGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 310 ps、最小工作温度 - 40 C。

8SLVD1204-33NLGI/W

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 AT、湿敏性 是。

8SLVD1204-33NLGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 310 ps、最小工作温度 - 40 C。

8SLVD1204NLGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 300 ps、最小工作温度 - 40 C。

8SLVD1204NLGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 300 ps、最小工作温度 - 40 C。

8SLVD1208NBGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 380 ps、最小工作温度 - 40 C。

8SLVD1208NBGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 380 ps、最小工作温度 - 40 C。

8SLVD1212ANLGI8

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 AT、湿敏性 是。

8SLVD2104NBGI/W

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-28

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVDS, LVPECL、类型 High Performance,采用 VFQFN-28 封装。

8SLVD2104NBGI8

Renesas Electronics · 封装:VFQFN-28

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVDS, LVPECL、类型 High Performance,采用 VFQFN-28 封装。

8SLVP1102ANLGI

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 VFQFPN-16 封装。

8SLVP1102ANLGI/W

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C。

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