8P34S2102NLGI
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录8P34S2102NLGI/W
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-16 封装。8P34S2102NLGI8
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-16 封装。8P34S2104NBGI
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-28 封装。8P34S2104NBGI8
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-28 封装。8P34S2106AHGI
Renesas Electronics · 封装：WLCSP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 WLCSP-48 封装。8P34S2106AHGI8
Renesas Electronics · 封装：WLCSP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 WLCSP-48 封装。8P34S2106ANLGI
Renesas Electronics · 封装：VFQFPN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出数 6 Output，采用 VFQFPN-40 封装。8P34S2106ANLGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 SG、湿敏性 是。8P34S2106NLGI
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-40 封装。8P34S2106NLGI8
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-40 封装。8P34S2108NLGI
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 2.7 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-48 封装。8P34S2108NLGI/W
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-48 封装。8P34S2108NLGI8
Renesas Electronics · 封装：VFQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-48 封装。621SCMGI
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。621SCMGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。621SDCGI
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。621SDCGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 621S。651SCMGI
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 651S。651SCMGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。