ChipSourceHub 美芯科技

逻辑与时钟

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

5PB1106CMGI/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1106CMGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 2.7 ns、最小工作温度 - 40 C。

5PB1106CMGI8/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1106CMGK

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 VFQFPN-16 封装。

5PB1106CMGK8

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.3 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 VFQFPN-16 封装。

5PB1106PGGI

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-14

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 TSSOP-14 封装。

5PB1106PGGI/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1106PGGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 2.7 ns、最小工作温度 - 40 C。

5PB1106PGGI8/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1106PGGK

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-14

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-14 封装。

5PB1106PGGK8

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-14

主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.3 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-14 封装。

5PB1108CMGI

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 VFQFPN-16 封装。

5PB1108CMGI/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1108CMGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 2.7 ns、最小工作温度 - 40 C。

5PB1108CMGI8/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1108CMGK

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 VFQFPN-16 封装。

5PB1108CMGK8

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 3.3 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 VFQFPN-16 封装。

5PB1108PGGI

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 TSSOP-16 封装。

5PB1108PGGI/N

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

5PB1108PGGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 2.7 ns、最小工作温度 - 40 C。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技