5P83908PGGK8
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 Crystal、类型 High Performance，采用 TSSOP-20 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录5PB1102CMGI
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 DFN-8 封装。5PB1102CMGI/N
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。5PB1102CMGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C。5PB1102CMGI8/N
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。5PB1102CMGK
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 DFN-8 封装。5PB1102CMGK8
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 DFN-8 封装。5PB1104CMG18
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.4 ns、最小工作温度 - 40 C。5PB1104CMGI
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 DFN-8 封装。5PB1104CMGI/N
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。5PB1104CMGI/W
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。5PB1104CMGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C。5PB1104CMGI8/N
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。5PB1104CMGK
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 DFN-8 封装。5PB1104CMGK/W
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。5PB1104CMGK8
Renesas Electronics · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 DFN-8 封装。5PB1104CMT1
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.021719 oz。5PB1104PGGK
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 TSSOP-8 封装。5PB1104PGGK8
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 TSSOP-8 封装。5PB1106CMGI
Renesas Electronics · 封装：VFQFPN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 VFQFPN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。