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23S09-1HPGG

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 9 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TSSOP-16 封装。

23S09-1HPGG8

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S09-1HPGG8 23S09、单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。

23S09-1HPGGI8

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S09-1HPGGI8 23S09、单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。

23S09T-1DCG

Renesas Electronics · 封装:SOIC-16

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT23S09T-1DCG 23S09T、单件重量 0.023492 oz,采用 SOIC-16 封装。

23S09T-1DCG8

Renesas Electronics · 封装:SOIC-16

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT23S09T-1DCG8 23S09T、单件重量 0.023492 oz,采用 SOIC-16 封装。

524MILF

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 5.25 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 Clock、输入类型 Clock、输出数 4 Output,采用 SOIC-8 封装。

524MILFT

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 5.25 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 SOIC-8 封装。

524SCMGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。

524SCMGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。

524SDCGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。

524SDCGI8

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C。

551MILF

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 8 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。

551MILFT

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 8 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。

551MLF

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 8 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。

551MLFT

Renesas Electronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 8 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。

552-02SCMGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C。

552-02SCMGI8

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。

552-02SPGGI

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C。

552-02SPGGI8

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

552G-02ILN

Renesas Electronics · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 5.25 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 5.5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-16 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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