2309NZ-1HDCGI8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT2309NZ-1HDCGI8 2309NZ-1H、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录2309NZ-1HPGG
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 133.33 MHz、输出数 9 Output、传播延迟（最大值） 8.7 ns、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-16 封装。2309NZ-1HPGG8
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT2309NZ-1HPGG8 2309NZ-1H、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。2309NZ-1HPGGI
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT2309NZ-1HPGGI 2309NZ-1H、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。2309NZ-1HPGGI8
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT2309NZ-1HPGGI8 2309NZ-1H、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。23S05-1DCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。23S05-1DCG8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S05-1DCG8 23S05、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。23S05-1HDCGI8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1DCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1DCG8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1DCGI
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S05E-1DCGI 23S05E、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1DCGI8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S05E-1DCGI8 23S05E、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1HDCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 5 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1HDCG8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S05E-1HDCG8 23S05E、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1HDCGI
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps，采用 SOIC-8 封装。23S05E-1HDCGI8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT23S05E-1HDCGI8 23S05E、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。23S09-1DCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT23S09-1DCG 23S09、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。23S09-1DCG8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT23S09-1DCG8 23S09、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。23S09-1HDCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 9 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-16 封装。23S09-1HDCG8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT23S09-1HDCG8 23S09、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。