NB4N111KMNR4G
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 400 MHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 1.1 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录NB4N11MDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。NB4N121KMNR2G
onsemi · 封装：QFN-52
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 400 MHz、输出数 21 Output、传播延迟（最大值） 950 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-52 封装。NB6L14MMNR2G
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 480 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6L14MNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 480 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6L14MNR2G
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 500 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6L14SMNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、类型 Any Level Differential Input to LVDS Fanout Buffer/Translator、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps，采用 QFN-16 封装。NB6L14SMNTWG
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C。NB6L14SMNTXG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 2 GHz、类型 Any Level Differential Input to LVDS Fanout Buffer/Translator、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps，采用 QFN-16 封装。NB6L611MNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 4 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 375 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB7L1008MMNG
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 8 GHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。NB7L14MNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 8 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB7V586MMNR4G
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.002448 oz。NB7VQ14MMNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 8.5 GHz、输出类型 CML、输入类型 CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出数 4 Output，采用 QFN-16 封装。NB7VQ14MMNHTBG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 8.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 225 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NBA3N206SDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 100 kHz、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 6 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。2305-1DCG8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。2305-1DCGI
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。2305-1DCGI8
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 133 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。2305-1HDCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。