NB3L202KMNTXG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输出频率 350 MHz、最大输入频率 350 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL，采用 QFN-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录NB3L204KMNG
onsemi · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 350 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、类型 Fanout Buffer，采用 QFN-24 封装。NB3L204KMNTXG
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 350 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C。NB3L208KMNTXG
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 350 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C。NB3M8304CDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.7 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。NB3N1900KMNTWG
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers。NB3N206SDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。NB3N853501EDTR2G
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。NB3N853531EDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 40 MHz、传播延迟（最大值） 1.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。NB3U1548CDG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.4 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 160 MHz、输出类型 LVCMOS, TTL、输入类型 LVCMOS, TTL、输出数 4 Output，采用 SOIC-8 封装。NB3U1548CDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、产品 Fanout Buffers，采用 SOIC-8 封装。NB3V1104CMTTBG
onsemi · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 250 kHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 WDFN-8 封装。NB3V1106CDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 250 MHz、输出数 6 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-14 封装。NB3V1108CDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL，采用 TSSOP-16 封装。NB3V8312CFAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出数 12 Output，采用 LQFP-32 封装。NB3V8312CFAR2G
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出数 12 Output，采用 LQFP-32 封装。NB3V8312CMNR4G
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出数 12 Output，采用 QFN-32 封装。NB3W1200LMNTXG
onsemi · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 4.6 V、最大输出频率 133 MHz、最大输入频率 133 MHz、输出类型 NMOS、输入类型 HCSL, Push-Pull，采用 QFN-64 封装。NB3W1900LMNTXG
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主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。NB3W800LMNTXG
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主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。