MC100LVEL13DWR2G
onsemi · 封装：SOIC-Wide-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出数 12 Output、传播延迟（最大值） 0.62 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-Wide-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录MC100LVEP11DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3 GHz、产品 Fanout Buffers、原产国家或地区 菲律宾、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEP11DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 310 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEP11DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 310 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。MC100LVEP210FARG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 0.43 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。MC10EL11DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.2 V、电源电压（最大值） 5.7 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 340 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EL89DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.2 V、电源电压（最大值） 5.7 V、最大输入频率 1.5 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.44 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EL89DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.2 V、电源电压（最大值） 5.7 V、最大输入频率 1.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.44 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EP11DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 270 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EP11DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 270 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EP89DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 370 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EP89DTG
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 370 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。MC10EP89DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 370 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。MC10LVEP11DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 310 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。NB3F8L3005CMNTBG
onsemi · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 1.35 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 50 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL, SSTL，采用 QFN-24 封装。NB3F8L3005CMNTXG
onsemi · 封装：QFN-24
主要参数包括最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 50 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL, SSTL、输出数 5 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。NB3F8L3010CMNTWG
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 TH、产品 Fanout Buffers。NB3H83905CDR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 100 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。NB3H83905CMNG
onsemi · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 100 MHz、最大输入频率 100 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 Crystal, LVCMOS，采用 QFN-20 封装。NB3L202KMNG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、最大输入频率 350 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、类型 Fanout Buffer，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。