ZL40255LDF1
Microchip Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 1.035 GHz、最大输入频率 1.035 GHz、输出类型 CML, CMOS, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL、输入类型 CMOS，采用 QFN-32 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录ZL40255LDG1
Microchip Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 1.035 GHz、最大输入频率 1.035 GHz、输出类型 CML, CMOS, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL、输入类型 CMOS，采用 QFN-32 封装。ZL40262LDF1
Microchip Technology · 封装：VQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、类型 Fanout Buffer，采用 VQFN-20 封装。ZL40262LDG1
Microchip Technology · 封装：VQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Differential/Single Ended，采用 VQFN-20 封装。ZL40264LDG1
Microchip Technology · 封装：VQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Differential/Single Ended，采用 VQFN-20 封装。ZL40292LDF1
Microchip Technology · 封装：VQFN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、类型 Fanout Buffer，采用 VQFN-72 封装。ZL40292LDG1
Microchip Technology · 封装：VQFN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、类型 Fanout Buffer，采用 VQFN-72 封装。ZL40293LDF1
Microchip Technology · 封装：QFN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Differential/Single Ended、输出数 20 Output，采用 QFN-72 封装。ZL40293LDG1
Microchip Technology · 封装：QFN-72
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 Differential/Single Ended，采用 QFN-72 封装。ZL40294BLDF6
Microchip Technology · 封装：VCQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、类型 Jitters、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 10 ns，采用 VCQFN-80 封装。ZL40294BLDG6
Microchip Technology · 封装：VCQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、类型 Jitters、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 10 ns，采用 VCQFN-80 封装。ZL40294BLDX6
Microchip Technology · 封装：VCQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、类型 Jitters、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 10 ns，采用 VCQFN-80 封装。ZL40294LDF6
Microchip Technology · 封装：WGQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL, Push-Pull、输出数 20 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 WGQFN-80 封装。ZL40294LDG6
Microchip Technology · 封装：WGQFN-80
采用 WGQFN-80 封装。ZL40294LDX6
Microchip Technology · 封装：WGQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL, Push-Pull、输入类型 Differential，采用 WGQFN-80 封装。ZL40295LDF6
Microchip Technology · 封装：GQFN-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 HCSL, Push-Pull、输入类型 LVCMOS, HCSL，采用 GQFN-80 封装。ZL40295LDG6
Microchip Technology · 封装：GQFN-80
采用 GQFN-80 封装。MC100LVEL11DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.405 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEL11DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.405 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。MC100LVEL11MNR4G
onsemi · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.405 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。