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PL123-09SI

Microchip Technology · 封装:SOP-16

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.006102 oz,采用 SOP-16 封装。

PL123-09SI-R

Microchip Technology · 封装:SOP-16

主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.006102 oz,采用 SOP-16 封装。

PL123E-05HSI

Microchip Technology · 封装:SOP-8

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.030018 oz,采用 SOP-8 封装。

PL123E-05SC

Microchip Technology · 封装:SOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 220 MHz、输出数 5 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 0 C,采用 SOP-8 封装。

PL123E-05SC-R

Microchip Technology · 封装:SOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 220 MHz、输出数 5 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 0 C,采用 SOP-8 封装。

PL123E-05SI

Microchip Technology

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

PL123E-09HSC

Microchip Technology · 封装:SOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 220 MHz、输出数 9 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 0 C,采用 SOP-16 封装。

PL123E-09HSC-R

Microchip Technology · 封装:SOP-16

主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.006102 oz,采用 SOP-16 封装。

PL123E-09SC-R

Microchip Technology · 封装:SOP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 220 MHz、输出数 9 Output、传播延迟(最大值) 0 ps、最小工作温度 0 C,采用 SOP-16 封装。

PL133-27GC

Microchip Technology · 封装:TDFN-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TDFN-6 封装。

PL133-27GC-R

Microchip Technology · 封装:TDFN-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TDFN-6 封装。

PL133-27GI

Microchip Technology · 封装:TDFN-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TDFN-6 封装。

PL133-27GI-R

Microchip Technology · 封装:TDFN-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TDFN-6 封装。

PL133-37TC

Microchip Technology · 封装:SOT-23-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 150 MHz、最大输入频率 150 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 SOT-23-6 封装。

PL133-37TC-R

Microchip Technology · 封装:SOT-23-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 3 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOT-23-6 封装。

PL133-37TI

Microchip Technology · 封装:SOT-23-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 3 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOT-23-6 封装。

PL133-37TI-R

Microchip Technology · 封装:SOT-23-6

主要参数包括电源电压(最小值) 1.62 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 3 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOT-23-6 封装。

PL133-47SC

Microchip Technology · 封装:SOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 150 MHz、最大输入频率 150 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS,采用 SOP-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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