PI6CB332016A100ZDEX
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-64
主要参数包括电源电压(最小值) 2.97 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 Differential、输入类型 CMOS,采用 TQFN-64 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL,采用 TQFN-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL,采用 TQFN-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:aQFN-80
主要参数包括电源电压(最小值) 2.97 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 Differential、输入类型 CMOS,采用 aQFN-80 封装。Diodes Incorporated · 封装:aQFN-80
主要参数包括电源电压(最小值) 2.97 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 Differential、输入类型 CMOS,采用 aQFN-80 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL,采用 TQFN-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL,采用 TQFN-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:W-QFN3030-20
主要参数包括电源电压(最小值) 2.97 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CMOS,采用 W-QFN3030-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:W-QFN3030-20
主要参数包括电源电压(最小值) 2.97 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CMOS,采用 W-QFN3030-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:V-QFN4040-28
主要参数包括电源电压(最小值) 2.97 V、电源电压(最大值) 3.63 V、最大输出频率 400 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CMOS,采用 V-QFN4040-28 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL,采用 TQFN-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL,采用 TQFN-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL,采用 TQFN-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL,采用 TQFN-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL,采用 TQFN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-48
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 133.33 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 CMOS, HCSL、输入类型 CMOS, HCSL,采用 TQFN-48 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。