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Diodes Incorporated · 封装:WQFN5050-32
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 1.5 GHz、最大输入频率 1.5 GHz、输出类型 LVDS, LVCMOS、输入类型 Differential, LVCMOS,采用 WQFN5050-32 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated · 封装:WQFN5050-32
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 1.5 GHz、最大输入频率 1.5 GHz、输出类型 LVDS, LVCMOS、输入类型 Differential, LVCMOS,采用 WQFN5050-32 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出数 1 Output、传播延迟(最大值) 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 360 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 Differential、类型 High Performance Buffer Translator,采用 SOIC-Wide-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 360 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 Differential、类型 High Performance Buffer Translator,采用 SOIC-Wide-8 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL、类型 Automotive Low Skew Fanout Buffer,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL、类型 Low Skew,采用 SOIC-Wide-8 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 160 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL,采用 SOIC-Wide-8 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 160 MHz、输出类型 Tri-State、类型 Automotive Clock Buffer、输出数 4 Output,采用 SOIC-Wide-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 3.6 V、最大输出频率 200 MHz、输出类型 Tri-State、类型 Automotive Clock Buffer、输出数 4 Output,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 1.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-48
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 1.5 GHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVTTL, LVCMOS,采用 TQFN-48 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-48
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 1.5 GHz、最大输入频率 50 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 CMOS,采用 TQFN-48 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。