SiT92216AI-T
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HI-Z, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 HCSL, OSC, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL，采用 QFN-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SiT92216AI-X
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HI-Z, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 HCSL, OSC, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL，采用 QFN-32 封装。SiT92216AI-Y
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HI-Z, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 HCSL, OSC, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL，采用 QFN-32 封装。PI49FCT38072CQE-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。PI49FCT38072CQEX-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。PI49FCT3807BQE+AM-1507
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807BQE+AMX
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807BQE+AMX-1507
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807BQE-1507
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807BQE-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807DQE-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT3807DQEX-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI6C20400BLEX-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。PI6C20800BAEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-Wise-48
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 100 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 HCSL，采用 TSSOP-Wise-48 封装。PI6C2405A-1WE-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。PI6C2405A-1WEX-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers。PI6C39X0202XECIEX
Diodes Incorporated · 封装：X1DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 CMOS、输入类型 CMOS，采用 X1DFN-8 封装。PI6C39X0204XECIEX
Diodes Incorporated · 封装：X1DFN-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、产品 Clock Buffers，采用 X1DFN-8 封装。PI6C4911502DZHIEX
Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 800 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。PI6C4921502TQ1ZHWEX
Diodes Incorporated · 封装：WQFN5050-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 1.5 GHz、最大输入频率 1.5 GHz、输出类型 LVDS, LVCMOS、输入类型 Differential, LVCMOS，采用 WQFN5050-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。