NB3N200SDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 500 kHz、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录NB3N111KMNR4G
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 400 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 1.1 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。NB7L14MNTXG
onsemi · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 8 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。MC100LVEP210FAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 0.43 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。MC100LVEP11MNR4G
onsemi · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 310 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。LMK1C1103PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。LMK1D2102LRGTR
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVDS, LVPECL, HCSL, CML, LVCMOS、类型 Ultra Low Additive Jitter LVDS Buffer，采用 VQFN-16 封装。CDCDB2000ENPPT
Texas Instruments · 封装：TLGA-80
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 100 MHz、最大输入频率 100 MHz、输出类型 LP-HCSL、输入类型 LP-HCSL，采用 TLGA-80 封装。LMK1D2104RHDR
Texas Instruments · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 Differential、输入类型 3-State、类型 LVDS Buffer，采用 VQFN-28 封装。CDCDB803RSLR
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LP-HCSL、输入类型 LP-HCSL，采用 VQFN-48 封装。LMK1D1208PRHAT
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 2 GHz、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 CML, HCSL, LVDS, LVPECL, LVCMOS，采用 VQFN-40 封装。SiT92184AA-X
SiTime · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance Automotive Fanout Buffer，采用 DFN-8 封装。SiT92184AA-Y
SiTime · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance Automotive Fanout Buffer，采用 DFN-8 封装。SiT92211AI
SiTime · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HIZ, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 CML, HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, Single-Ended, SSTL，采用 QFN-48 封装。SiT92211AI-N
SiTime · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 2.1 GHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, LVDS, LVPECL, LVCMOS、类型 Fanout Clock Buffer，采用 QFN-48 封装。SiT92211AI-T
SiTime · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HIZ, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 CML, HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, Single-Ended, SSTL，采用 QFN-48 封装。SiT92211AI-X
SiTime · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HIZ, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 CML, HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, Single-Ended, SSTL，采用 QFN-48 封装。SiT92211AI-Y
SiTime · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HIZ, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 CML, HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, Single-Ended, SSTL，采用 QFN-48 封装。SiT92216AI
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz, 700 MHz, 2100 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, HI-Z, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输入类型 HCSL, OSC, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL，采用 QFN-32 封装。SiT92216AI-N
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.45 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 2.1 GHz、输出类型 HCSL, LVDS, LVPECL, LVCMOS、类型 Fanout Clock Buffer，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。