9DBL0853ANDGI
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录9DBL08P1B201KILF
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。9DBL08P1B201KILFT
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。9DBL0951BKILF
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 9 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。9DBL0951BKILFT
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers。9DBL411BGILF
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 150 MHz、最大输入频率 150 MHz、输出类型 LP-HCSL、输出数 4 Output，采用 TSSOP-20 封装。9DBL411BGILFT
Renesas Electronics · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。PI6CBE33085ZLIEX-13R
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 100 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CMOS，采用 TQFN-48 封装。PI6CBE33125ZDIEX-13R
Diodes Incorporated · 封装：TQFN-64
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 100 MHz、最大输入频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 CMOS，采用 TQFN-64 封装。PI6C49CB02Q2WEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL、类型 Automotive Low Skew Fanout Buffer，采用 SOIC-8 封装。PI6C49CB04BQ2WEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL、类型 Low Skew，采用 SOIC-Wide-8 封装。PI6C39X020401XECIEX
Diodes Incorporated · 封装：X1DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 CMOS、输入类型 CMOS，采用 X1DFN-8 封装。PI6C49CB04AQ2WEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输出频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS, LVTTL、输入类型 LVCMOS, LVTTL、类型 Low Skew，采用 SOIC-Wide-8 封装。MC100LVEL11DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.405 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC100LVEP11DTG
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 310 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。NB3M8302CDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 3.3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。NB3M8302CDG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 3.3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。NB3RL02FCT2G
onsemi · 封装：WLCSP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 80 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 12 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 WLCSP-8 封装。NB6L56MNTXG
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2.5 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 400 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。NB3H83905CDTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.3 V、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。