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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

SiT92112AI-X

SiTime · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer,采用 DFN-8 封装。

SiT92112AI-Y

SiTime · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer,采用 DFN-8 封装。

SiT92113AI-Y

SiTime · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, OSC, SSTL,采用 QFN-24 封装。

SiT92114AI

SiTime · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer,采用 TSSOP-8 封装。

SiT92114AI-N

SiTime · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 Fanout Clock Buffer、输出数 4 Output,采用 TSSOP-8 封装。

SiT92114AI-T

SiTime · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer,采用 TSSOP-8 封装。

SiT92114AI-X

SiTime · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer,采用 TSSOP-8 封装。

SiT92114AI-Y

SiTime · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer,采用 TSSOP-8 封装。

SiT92184AA

SiTime · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance Automotive Fanout Buffer,采用 DFN-8 封装。

SiT92184AA-N

SiTime · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 Fanout Clock Buffer,采用 DFN-8 封装。

9DBL0653ANDGI8

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

9DBL06P1B000KILF

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

9DBL06P1B000KILFT

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

9DBL0741BKILF

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers。

9DBL0741BKILFT

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 7 Output、传播延迟(最大值) 4 ns、最小工作温度 - 40 C。

9DBL0751BKILF

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers。

9DBL0751BKILFT

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers。

9DBL0841CKILF

Renesas Electronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

9DBL0841CKILFT

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-48

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 125 MHz、输出类型 HCSL、类型 Low-Power, High-Performance, Zero-Delay、输出数 8 Output,采用 VFQFPN-48 封装。

9DBL0851CKILFT

Renesas Electronics · 封装:VFQFPN-48

主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 125 MHz、输出类型 HCSL、类型 Low-Power, High-Performance, Zero-Delay、输出数 8 Output,采用 VFQFPN-48 封装。

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