MC100EP210SMNG
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 0.65 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录MC100EP210SMNR4G
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 0.65 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。2304NZLDCGI
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。2304NZLDCGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。2304NZLNTGI
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。2304NZLNTGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。2304NZLPGGI
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。2304NZLPGGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。2305-1DCG
Renesas Electronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。SiT92113AI-N
SiTime · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 Differential/Single Ended，采用 QFN-24 封装。SiT92113AI-T
SiTime · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, OSC, SSTL，采用 QFN-24 封装。SiT92113AI-X
SiTime · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, OSC, SSTL，采用 QFN-24 封装。SiT92110AI
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, SSTL, XTAL，采用 QFN-32 封装。SiT92113AI
SiTime · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, OSC, SSTL，采用 QFN-24 封装。SiT92110AI-N
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 Fanout Clock Buffer，采用 QFN-32 封装。SiT92110AI-T
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, SSTL, XTAL，采用 QFN-32 封装。SiT92110AI-X
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, SSTL, XTAL，采用 QFN-32 封装。SiT92110AI-Y
SiTime · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 50 MHz, 250 MHz、最大输入频率 250 MHz、输出类型 LVCMOS、输入类型 HCSL, LVPECL, LVDS, LVCMOS, SSTL, XTAL，采用 QFN-32 封装。SiT92112AI
SiTime · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer，采用 DFN-8 封装。SiT92112AI-T
SiTime · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 200 MHz、最大输入频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High-Performance Ultra Low Jitter Buffer，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。