Si53254A-D02AMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录Si53258A-D01AMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。Si53258A-D02AMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。Si53358A-D01AMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。LMK00804BQWRGTTQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL、输出类型 LVCMOS、类型 Fan-Out Buffer，采用 VQFN-16 封装。CY2309CSXI-1T
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。85352AYILFT
IDT · 封装：PTQFP-48
主要参数包括高度 1 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 85352I ICS85352AYILFT，采用 PTQFP-48 封装。PI49FCT32802QE-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。PI49FCT32802QEX-2017
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。CY2304NZZXI-1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。CY2304NZZXC-1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-8 封装。CY2304NZZXC-1T
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-8 封装。CY2304NZZXI-1T
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。CY2305CSXC-1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 133 MHz、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 0 ps，采用 SOIC-8 封装。MC100EP11DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 270 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MC100EP11DTG
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 270 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。MC100EP11DTR2G
onsemi · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 270 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。MC100EP11MNR4G
onsemi · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 270 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。MC100EP210SFAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 0.65 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。MC100EP210SFAR2G
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、最大输入频率 1 GHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 0.65 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。