8P791208NLGI/W
IDT · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输出类型 LVCMOS/HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL、类型 Low Additive Jitter,采用 QFN-32 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输出类型 LVCMOS/HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL、类型 Low Additive Jitter,采用 QFN-32 封装。IDT
主要参数包括型号别名 ICS9FG1902AKLFT。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 2 x10 LVPECL Fanout BufferIDT · 封装:VFQFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS/LVPECL、类型 Low Skew, Low Additive Jitter,采用 VFQFN-48 封装。IDT · 封装:VFQFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance,采用 VFQFN-40 封装。Analog Devices · 封装:QFN-52
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 7.5 GHz、最大输出频率 7.5 GHz、类型 Fanout Buffer、输出数 11 Output,采用 QFN-52 封装。Analog Devices · 封装:QFN-52
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 7.5 GHz、最大输出频率 7.5 GHz、类型 Fanout Buffer、输出数 11 Output,采用 QFN-52 封装。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 2:8 LVPECL Fanout Buffer w/Int. Term.Microchip / Microsemi
Clock Buffer 2:8 LVPECL Fanout Buffer w/Ext. Term.Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 miSmartBuffer。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz。IDT · 封装:SSOP-28
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB104 ICS9DB104BFLFT、单件重量 0.025045 oz,采用 SSOP-28 封装。Texas Instruments · 封装:LQFP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、类型 LVDS、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.4 mm,采用 LQFP-32 封装。IDT · 封装:TSSOP-48
主要参数包括高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 9DB108 ICS9DB108BGLFT、单件重量 0.014850 oz,采用 TSSOP-48 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 Differential/Single-Ended、输出类型 LVDS,采用 TQFN-48 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 Differential/Single-Ended、输出类型 LVDS,采用 TQFN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.5 V、最大输出频率 2000 MHz、输出类型 LVPECL、类型 Fanout Buffer、输出数 12 Output,采用 TQFN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出类型 LVCMOS, LVTTL,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 266 MHz、输出类型 LVPECL、类型 Fanout Buffer、输出数 4 Output,采用 TSSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20
采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。