SI5330M-B00232-GMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0841,采用 VFQFPN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0831,采用 VFQFPN-48 封装。Silicon Labs
主要参数包括单件重量 0.001764 oz。IDT
Clock Buffer 9DBL08P1B000 3.3V LP-HCSL PCIE ZDB/FOBIDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0631 ICS9DBU0631,采用 VFQFPN-40 封装。Silicon Labs
主要参数包括单件重量 0.001764 oz。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:6 LVPECL Fanout Buffer w/Ext. Term.Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:6 LVDS Fanout Buffer w/Ext. Term.IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 Differential、输出类型 HCSL、类型 Low Phase Noise,采用 VFQFPN-72 封装。IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 VFQFPN-72 封装。Microchip / Microsemi · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.35 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、输出数 2 Output、工作电源电流 18 mA,采用 MSOP-12 封装。IDT · 封装:GQFN-80
采用 GQFN-80 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、输出数 2 Output、工作电源电流 18 mA,采用 MSOP-12 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、输出数 2 Output、工作电源电流 18 mA,采用 MSOP-12 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、输出数 2 Output、工作电源电流 18 mA,采用 MSOP-12 封装。IDT · 封装:LQFP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 700 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出类型 ECL/LVPECL、类型 Low Skew,采用 LQFP-32 封装。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:4 LVDS Fanout Buffer w/Ext. Term.IDT · 封装:VFQFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance,采用 VFQFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。