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Clock Buffer 3.3V 6 O/P PCIE Gen123 Prog ZDB/FOB按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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Clock Buffer 3.3V 6 O/P PCIE Gen123 Prog ZDB/FOBIDT
Clock Buffer 3.3V 8 O/P GEN Prog ZDB/FOBIDT · 封装:QFN-48
采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 6 Output,采用 QFN-40 封装。IDT
Clock BufferIDT
Clock Buffer 3.3V LP-HCSL PCIE ZDB FOBIDT
Clock Buffer 6 O/P 3.3V PCIE G123 ZDB FOBIDT
Clock Buffer 8 O/P 3.3V PCIE Gen123 100 OhmTexas Instruments · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输入类型 LVDS, LVTTL、输出类型 LVCMOS、类型 Bus Transceiver、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-24 封装。Silicon Labs
主要参数包括单件重量 0.001764 oz。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0631 ICS9DBU0631,采用 VFQFPN-40 封装。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0941,采用 VFQFPN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-40 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-40 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TQFP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 1.6 GHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVPECL、类型 General Purpose,采用 TQFP-32 封装。IDT · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 8 Output,采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 8 Output,采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 8 Output,采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。