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IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 Differential、输出类型 HCSL、类型 Low Phase Noise,采用 VFQFPN-72 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 Differential、输出类型 HCSL、类型 Low Phase Noise,采用 VFQFPN-72 封装。IDT · 封装:QFN-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 12 Output,采用 QFN-64 封装。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:4 LVPECL Fanout Buffer w/Ext. Term.Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:4 LVPECL Fanout Buffer w/Int. Term.Microchip / Microsemi · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.35 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-32 封装。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:6 LVDS Fanout Buffer w/Int. Term.Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 miSmartBuffer。IDT · 封装:VFQFN-28
主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance,采用 VFQFN-28 封装。IDT
Clock Buffer FSL Dual 1-10 Diff LVPECL Fanout BufferIDT · 封装:VFQFPN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS, LVPECL,采用 VFQFPN-32 封装。IDT
主要参数包括湿敏性 是。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:GQFN-80
采用 GQFN-80 封装。Silicon Labs
Clock Buffer 2:10 LVPECL buffer (200MHz), 2:1 LVCMOS input mux (QFN32)IDT · 封装:PTQFP-48
主要参数包括最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1 mm,采用 PTQFP-48 封装。IDT
Clock Buffer 3.3V LP-HCSL PCIE ZDB FOBIDT
主要参数包括商品名称 FemtoClock。IDT
Clock Buffer 3.3V 6 O/P PCIE Gen123 Prog ZDB/FOBIDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-40 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。