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74FCT20807QGI8

IDT · 封装:QSOP-20

主要参数包括高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74FCT20807 IDT74FCT20807QGI8、单件重量 0.008508 oz,采用 QSOP-20 封装。

SI53212-A01AGMR

Silicon Labs · 封装:QFN-64

主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Differential,采用 QFN-64 封装。

5P83904CMGK8

IDT · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 QFN-16 封装。

23S09E-1HPGG8

IDT · 封装:TSSOP-16

主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 23S09E IDT23S09E-1HPGG8、单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。

23S09-1HPGG8

IDT · 封装:TSSOP-16

主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 23S09 IDT23S09-1HPGG8、单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。

5PB1110PGGK8

IDT · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-20 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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